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  • 双桥沟道晶体管示意图及其性能图

    双桥沟道晶体管示意图及其性能图

    复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径...

    技术新知编审: 科技快讯

    0 2020-12-16

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