晶体管_科技快讯

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互补型（CMOS）薄膜晶体管集成电路研究领域取得了突破性进展

近日，山东大学微电子学院宋爱民、辛倩课题组在互补型（CMOS）薄膜晶体管集成电路研究领域取得了突破性进展，相关结果以Thin Film Sequential Circuits: Flip-Flops and a Counter Based on p-SnO and n-InGaZnO为题，发表在国际微电子器件领域的顶级期刊IEE...

技术新知编审: 科技快讯

0 2021-01-02
0.6/1.2纳米沟道厚度的高驱动低泄漏电流多桥沟道晶体管

复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径...

技术新知编审: 科技快讯

0 2020-12-22
高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管

自戈登摩尔提出至今，摩尔定律已持续发展半个多世纪，芯片集成度不断提高，性能不断提升。然而如今器件特征尺寸不断缩小，特别是接近纳米尺度的量级时，出现量子尺寸效应、界面效应、短沟道效应等问题，影响了器件性能。根据国际半导体技术蓝图预测，对于5nm...

科技快报编审: 科技快讯

0 2020-06-19
天首资本:新结构晶体管获重大突破金属钼成为关键

近日,集成电路基础研究领域获得了一项重大突破,引发了社会对稀有金属钼的关注。据新华社5月29日报道,在电子元器件发展速度越来越接近瓶颈之际,复旦大学周鹏、张卫团队利用新型半导体材料硫化钼,发明了让单晶体管一个人干两个人的活的新的逻辑结构:晶体管面...

科技快报编审: 科技快讯

0 2019-05-31

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互补型（CMOS）薄膜晶体管集成电路研究领域取得了突破性进展

0.6/1.2纳米沟道厚度的高驱动低泄漏电流多桥沟道晶体管

高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管

天首资本:新结构晶体管获重大突破金属钼成为关键

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0.6/1.2纳米沟道厚度的高驱动低泄漏电流多桥沟道晶体管

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天首资本:新结构晶体管获重大突破 金属钼成为关键

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