中国借第三代芯片弯道超车？
2021-03-13 09:00:27
中国借第三代芯片弯道超车？
就在媒体报道中芯国际的14纳米制程工艺良品率已追上台积电前，台积电董事长刘德音2月在2021年国际固态电路研讨会上称，该公司3纳米制程技术进度超前，预计会在今年下半年进入试产，并且在2022年正式量产。
台积电透露，3纳米制造工艺，将可让电晶体密度比公司目前量产的5纳米芯片提高70%，并且让芯片运作时脉可达生11%，或是让电功耗降低27%。
外媒也报道说，台积电正与苹果一道联合推进2纳米工艺的研发，预计将于2023年开始试产2纳米芯片。
所以，尽管中芯国际的制程进阶高速发展，在公司国际联席首席执行官梁孟松带领下，三年内完成了从低端28纳米到7纳米工艺五个制程的开发，同业、竞争对手也没歇着，随着芯片设计的进步，业界、厂商追求的目标也在不断变动。
中国的追赶，能不能借第三代芯片弯道超车，取代关键的美国供应商，力拒华盛顿的打压，同时在新兴科技领域形塑本土科技巨擘，外界未来几年将密切观察。
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